200 mm Waferbearbeitung

Hohe Flexibilität

Prototyping - Rezepturentwicklung für Metall-Stacks

Ohmic Contact Formation im Überblick

Der Markt für Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) verzeichnet ein zweistelliges Wachstum, was auf die Vorteile von SiC bei der Steigerung der Leistungseffizienz und der Minimierung von Energieverlusten in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen/Hybridfahrzeugen, Stromversorgungen und Solarwechselrichtern zurückzuführen ist.

Die Bildung von ohmschen Kontakten auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen spielt eine Schlüsselrolle bei elektrischen Eigenschaften und der mechanischen Festigkeit des Bauelements. Bisher wurden thermische Annealingprozesse mit Blitzlampen und Millisekunden-Pulsen für die ohmsche Kontaktformation auf der Rückseite von SiC-Wafern eingesetzt.

Da für diesen Prozess Temperaturen von über 1000° C erforderlich sind, welche sich nachteilig auf die Strukturen auf der Vorderseite der Wafer auswirken können, sind Blitzlampen auf Waferdicken von 350 Mikrometern und mehr beschränkt.

Die Vorteile von Ohmic Contact Formation

  • Homogene Prozessergebnisse durch Spot-Scanning

  • Flexible Programmierung und großer Parameterbereich für Testmuster

  • Bildet ohmsche Ni-Silizid-Grenzflächen

  • Machbarkeitsstudien und Rezepturentwicklung mit Ihren Mustern in unserem Labor

  • Hohe Flexibilität - perfekt geeignet für F&E-Ansätze

  • Prototyping und Co-Entwicklung möglich - Rezepturentwicklung für Ihre Metall-Stacks

  • 200 mm Waferbearbeitung - besonders geeignet für dünne Wafer

microPRO XS OCF
microPRO XS OCF microPRO XS OCF Handling Wafer Waferbox

Einsatzgebiete

  • Halbleiterindustrie
  • Power Devices

Bearbeitbare Materialien

  • Silizium (Si)
  • Siliziumkarbid (SiC)

Zusätzliche technische Informationen

  • Laser-Sensor-Paket
  • Logfile-Funktion / Zugriffsrechteverwaltung
  • Standard-Waferdicke: 100 – 500 μm
  • Eignung für Wafer auf Glasträger

Um die elektrische Leistung und das Wärmemanagement zu verbessern, geht die Industrie zu dünneren SiC-Leistungsbauelementen über. Aufgrund dessen werden neue Annealingverfahren benötigt, die diese thermischen Auswirkungen minimieren.

Das Laser-Annealing bietet die hohe Präzision und Wiederholbarkeit, die für OCF auf der Rückseite von SiC-Wafern erforderlich ist. Gleichzeitig stellt es sicher, dass die Wafer-Vorderseite nicht thermisch beschädigt wird, was die Leistung der Bauelemente beeinträchtigen kann.

Durch die Kombination eines hochmodernen Laseroptikmoduls mit der modularen Bearbeitungsplattform von 3D-Micromac ist das microPRO OCF ideal für die ohmsche Kontaktbildung in Leistungsbauelementen aus Siliziumkarbid (SiC) geeignet. Somit stehen wir Ihnen als kompetenter und flexibler Partner für die Produktion von Prototypen zur Verfügung.

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Erfahren Sie mehr zum Selektiven Laser-Annealing mittels Ohmscher Kontaktformation (OCF) mit der microPRO XS und laden Sie unser kostenfreies Whitepaper (in englischer Sprache) herunter!

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